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化学机械研磨常识

来源:  作者:qciqtvIE
[1] [2] >> CMP 是哪三个英文单词的缩写?

Chemical Mechanical Polishing (化学机械研磨)

CMP是哪家公司发明的?

CMP是IBM在八十年代发明的。

简述CMP的工作原理?

化学机械研磨是把芯片放在旋转的研磨垫(pad)上,再加一定的压力, 用化学研磨液(slurry)来研磨的。

为什么要实现芯片的平坦化?

当今电子元器件的集成度越来越高,例如奔腾IV就集成了四千多万个晶体管,要使这些晶体管能够正常工作,就需要对每一个晶体管加一定的电压或电流,这就需要引线来将如此多的晶体管连接起来,但是将这幺多的晶体管连接起来,平面布线是不可能的,只能够立体布线或者多层布线。在制造这些连线的过程中,层与层之间会变得不平以至不能多层迭加。用CMP来实现平坦化,使多层布线成为了可能。

CMP在什么线宽下使用?

CMP在0.25微米以下的制程要用到。

什么是研磨速率(removal rate)?

研磨速率是指单位时间内研磨膜厚度的变化。

研磨液(slurry)的组成是什幺?

研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles),以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。

为什么研磨垫(Pad)上有一些沟槽(groove)?

研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布,使得研磨后芯片上的膜厚达到均匀。
为什幺要对研磨垫进行功能恢复(conditioning)?

研磨垫在研磨一段时间后,就有一些研磨颗粒和研磨下来的膜的残留物留在研磨垫上和沟道内,这些都会影响研磨液在研磨垫的分布,从而影响研磨的均匀性。

什么是blanket wafer ?什么是pattern wafer ?

blanket wafer 是指无图形的芯片。pattern wafer 是指有图形的芯片。

Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会一样吗?

一般来说,blanket wafer 与pattern wafer的removal rate是不一样的。

为什么Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate会不一样?

Blanket wafer 与pattern wafer的removal rate不一样是由于pattern wafer上有的地方高,有的地方低,高的地方压强(pressure)大,研磨速度大(回想Preston关系式)。而且, 总的接触到研磨的面积要比Blanket wafer接触到研磨的面积要小,所以总的压强大,研磨速度大。
在研磨后,为什幺要对芯片进行清洗?
[1] [2] >> 责任编辑:wang
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